スイッチングトランジスタの静特性について記述します。

オープンコレクタについて … の補足説明です。

無口さんが紹介したサイトの記述内容に間違いがあります。
負荷線の引き方 icon URL: http://www.kairo-nyumon.com/analog_load.html

(1) 「図1. エミッタ接地増幅回路 と Ic-Vce 特性」の Vbe は、IB の間違いです。
このサイトの筆者は、ユニポーラトランジスタとバイポーラトランジスタを混同して書いています。
バイポーラトランジスタのエミッタ接地の静特性は、下記のようなグラフになります。
トランジスタの静特性

(2) 紹介していただいた「負荷線」は増幅器設計時に用いるパラメータでトランジスタのスイッチング設計には用いません。
トランジスタのベース電流 IB とコレクタ電流 IC は、ベース電流 IB ×直流増幅度 hFE = コレクタ電流 IC の関係があります。
直流増幅度 hFE は、トランジスタ素子によって異なります。小信号のトランジスタの場合は、100 ~ 500 くらいと思います。

バイポーラトランジスタをスイッチング回路に用いる場合は、スイッチング速度をあげるため、計算値の 3 ~ 4 倍のベース電流 IB を流すので、
トランジスタは飽和領域で動作することになります。
飽和領域で動作するトランジスタの VCE ×コレクタ電流 IC がスイッチング動作時の電力損失なります。

投稿日 2018/05/31 (Thu.)
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